武汉新芯新厂动土邀请函曝光!240 亿美元资金到位,中国记忆体发展正式启动

  • 662views
武汉新芯新厂动土邀请函曝光!240 亿美元资金到位,中国记忆体发展正式启动

中国发展记忆体产业再有新进展!中国武汉新芯将建新记忆体厂,新厂动土仪式就落在本月 28 日,根据科技新报取得的消息,武汉新芯将建的为 NAND Flash 厂,而非市场谣传的 DRAM 厂,据悉,国家集成电路产业发展基金(大基金)与湖北省政府已到位,武汉新芯已磨刀霍霍进军 Flash 市场。

中国拟自建半导体供应链,在国安、军事考量下,记忆体一直是中国亟欲自足发展的领域,并属意选定一个省市为重点发展区域,先前在六大地方政府竞逐下,最终由武汉新芯出线,获得大基金挹注,统筹整体记忆体产业发展。

据悉大基金与湖北地方政府资金已于二月底到位,武汉新芯将于本月 28 日举行动土仪式,并已发出邀请函,从邀请函内容显示,新的厂区将落户于武汉东潮新技术开发区,投资总金额高达 240 亿美元,外传武汉新芯将先兴建 12 吋 DRAM 厂,然根据科技新报取得的消息,武汉新芯将先行建造 Flash 厂,同样生产 NOR 型 Flash,并逐步移转至 NAND Flash 产品,甚至 3D NAND Flash,最终目标产能 30 万片。

武汉新芯新厂动土邀请函曝光!240 亿美元资金到位,中国记忆体发展正式启动

从 3D NAND Flash 弯道超车的野心

从武汉新芯近期的布局或可看出端倪,2015 年 5 月,武汉新芯才与 NOR 记忆体厂商飞索半导体(Spansion)签订合作协议与交叉授权发展 3D NAND Flash 技术。从武汉新芯财务长陈少民、营运长洪沨近期出席上海 SEMICON China 与厦门 2015 集成电路产业促进大会的谈话,主轴同样绕在 Flash 产业的布局。

武汉新芯财务长陈少民在 15 日才开幕的上海 SEMICON China 记忆体产业发展论坛上即指出,「日本抓住了 DRAM 发展机遇,韩国抓住了 DRAM 和 NAND 发展机遇,两国都成为了记忆体行业的领头羊。如今 3D NAD 技术兴起,十三五规划又将半导体作为发展重点,我们正谓正好走到了一个发展的『风口』势必把握这一机会。」洪沨早前也称,3D NAND Flash 将成为中国记忆体晶片产业弯道超车的切入点。武汉新芯、中国的记忆体布局或将从 Flash 展开。

大厂纷纷押宝,价格战已可预见?

然而,不只武汉新芯,各大记忆体大厂也争相加大 3D NAND Flash 的投资,英特尔大连厂转生产 3DNAND Flash,于下半年产能开出,SK 海力士在三月初则传出投入 15.5 兆韩圜(约 4,500 亿新台币)扩充 NAND Flash 产能,并于 2019 投产, 17 日,东芝也宣布三年内要投资 3,600 亿日圆建厂扩产,同样押宝 3D NAND Flash。

外资 RBC Capital Markets 分析师 Amit Daryanani 近期的报告即发出忧心,在业者纷纷转进  3D NAND Flash 下,平均销售价格(ASP)将被拉低,甚至可能出现价格暴跌的情形,使得部分厂商陷入困境。3D NAND Flash 未来是否会掀起一场价格血雨同样令人关注。