武汉新芯与紫光集团联手,中国 NAND Flash 产业迈入新章

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武汉新芯与紫光集团联手,中国 NAND Flash 产业迈入新章

紫光集团预计于武汉成立长江储存科技,未来将纳入武汉新芯并统筹旗下一切记忆体发展项目,目前整体规划朝向 NAND Flash 产业发展。TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 研究协理杨文得表示,紫光集团与武汉新芯联手,使中国记忆体产业发展进入新章,可望为后续中国布建自主性记忆体产业带来进展。中国业者近一年来藉布局记忆体产业所展现的规划力、执行力与弹性均不容小觑,未来一举一动都将牵动全球记忆体产业格局。

DRAMeXchange 预估 2011~2016 年 NAND Flash 位元需求量的年複合成长率高达 47%,在 SSD 需求高度成长的带动下,NAND Flash 未来 10 年可望皆维持高度成长态势,因而紫光集团与武汉新芯目前的发展将着力于 NAND Flash 产业。杨文得指出,武汉新芯原为 NOR Flash 大厂,在生产经验、厂房与产能建置等基础建设有所擅长,而紫光集团则在资金募集及策略併购等均有过人之处,透过两强携手整合资源,能使中国记忆体产业投资的整体资源配置更加集中,并在整合上产生更多综效,对内得以于未来中国记忆体产业的发展中瞄準较佳的地位,对外则能提升产业上谈判的筹码,有助于中国建立产业自主性,后续发展值得关注。

现阶段武汉新芯在 NAND Flash 的布局领先其他中国记忆体业者,其与飞索半导体合作开发的 3D-NAND Flash 技术正持续往 32 层堆叠的初期量产目标迈进,今年 3 月也在大基金的支持下兴建新 3D-NAND Flash 厂,预计 2018 上半年实现量产目标。至于其他 NAND Flash 业者,三星除西安厂的投资外,南韩平泽厂区也规划新的 3D-NAND Flash 产能。东芝与威腾公司旗下晟碟在日本 Fab2 厂的产能持续增加,新厂也可望自 2018 下半年投产最新製程的 3D-NAND。SK 海力士则除现阶段 M11 与 M12 厂外,M14 厂第二阶段 3D-NAND 的生产也将从明年第一季开始进行。美光现除了新加坡 Fab10X 的扩建外,并未有新厂规划。杨文得进一步表示,由于 3D-NAND Flash 的厂房新建等投资远高于 2D-NAND Flash 的数倍,因此美光集团若能与紫光集团/武汉新芯比照「华亚科」模式合作(美光提供生产技术,合作方提供资金与生产产能),则能以较低的财务负担来获取长期新产能的布建,更有机会在市佔率拉近与三星和东芝/威腾阵营的距离。因此紫光集团与武汉新芯的联手格外引人瞩目。

武汉新芯与紫光集团联手,中国 NAND Flash 产业迈入新章